ST封装模块，采用赛晶自研i20芯片组，从而实现低损耗、大电流（可达2×750A）；采用自主创新的内部封装技术及兼容市场主流标准的外形 ；采用先进工艺和优质材料，以保证高性能、高可靠性和长寿命。

特点

l 1200V模块采用i20 IGBT和d20二极管芯片组，降低损耗，保证模块的可靠性

l 1200V IGBT模块电流可达2×750A，适用于多领域应用

l 模块杂散电感低至10nH，适合高速开关应用

l 最高运行结温高达175℃

l 低热阻，允许系统输出更高电流

l 全自动化生产线，保证产品的一致性和可靠性

产品

l 1200V ST封装模块开发中，计划在2022Q4推出市场，电流包含450A和750A。

l 1700V ST封装模块开发中，计划在2023 Q1推出市场，包含电流450A和600A。

应用领域

光伏逆变器、大功率变流器、UPS、大功率马达驱动、伺服驱动

ED封装模块，采用赛晶自研i20芯片组，从而实现低损耗、大电流（可达2×750A）；采用市场主流封装及先进工艺和优质材料，以保证高可靠性、长寿命。

模块参数

1700V ED封装模块开发中，计划在2022 Q4推出市场，电流包含450A和600A。

特点

l 采用i20系列精细沟槽栅IGBT芯片组，降低损耗，保证芯片匹配性和可靠性

l 1200V IGBT模块电流可达2×750A，适用于多领域应用

l 优化芯片布置，提升芯片级均流性能

l 最高运行结温高达175℃

l 采用Al2O3陶瓷绝缘基片，绝缘耐压3.4kV

l 兼容市场主流产品封装

l 全自动化生产线，保证产品的一致性和可靠性

l UL认证

应用领域

光伏逆变器、商用电动车、大功率马达驱动、输配电、储能变流器、风电变流器、UPS

l 低正向导通压降VF和低反向恢复耗(Erec)

l 与i20 IGBT芯片性能良好匹配

l 先进的发射效率管理

l 阳极扩散分布优化

i20 IGBT芯片特点

l 低饱和压降Vce(sat)和低开关损耗(Eon+Eoff)

l 电流高达250A/1200V

l 精细沟槽元胞结构，以及场截止技术

l 优化N增强层设计

l 低沟道电阻

l 超薄基区设计

HEEV封装的SiC模块为电动车应用量身定做，以满足高功率、轻量化和高可靠性的需求，同时可以兼顾高性能马达驱动的应用需求。

SiC EV特点

l 采用1200V SiC MOSFET芯片，适合800V高压平台应用

l Rds(on)低至1.8mΩ@25℃，适用电驱功率高达250kW

l 杂散电感非常小，适合SiC高速开关

l 模块体积非常紧凑，有助于实现电驱的轻量化

产品

SiC MOSFET产品：

1.8mΩ/1200V，2023年初可提供样品。

应用领域

电动车驱动、高性能马达驱动